2020年美光三星等公司會推出新一代的DDR5內存，最高速率可達6400Mbps，將逐步取代DDR4內存。現(xiàn)在的DRAM內存技術還在升級，但是技術瓶頸也日趨明顯，研究人員正在尋找新的內存替代技術，英國就找到了新方向——全新內存延遲可低至10ns，功耗僅有現(xiàn)在1%。

多年來人們一直在尋求完美的“內存”芯片，它既需要低延遲、高帶寬，也要功耗低(不需要頻繁刷新)，同時還得容量大，成本低，更重要的是具備斷電不損失數(shù)據(jù)的特性，可以說是NAND閃存及DRAM內存的完美體。

這么多要求，做起來可真不容易，Intel的傲騰內存是基于PCM相變內存技術的，在可靠性、延遲等問題上已經大幅領先現(xiàn)在的閃存，更接近DRAM內存芯片了，不過超越內存還達不到。

日前外媒報道稱，英國的研究人員找到了一種新型的“內存”，它使用的是III-V族材料，主要是InAs砷化銦和AlSb銻化鋁，用這些材料制成的NVDRAM非易失性內存具備優(yōu)秀的特性，在同樣的性能下開關能量低了100倍，也就是說功耗只有現(xiàn)有DRAM內存的1%，同時延遲可低至10ns。

總之，這種新型材料制成的內存芯片具備三大特性——超低功耗、寫入不破壞數(shù)據(jù)、非易失性，其性能相比現(xiàn)在的DRAM內存倒是沒多大提升，10ns級別的延遲跟DDR4內存差不多，但是上面三條特性，尤其是非易失性就足夠讓“內存”革命了。

不過也沒法高興太早，英國研發(fā)人員現(xiàn)在只是找到了新一代III-V材料內存的理論方向，真正大規(guī)模制造這種內存還是沒影的事，就像是像傳了很久的MRAM、PCM、RRAM芯片一樣。

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