美光宣布,已經(jīng)成功試產(chǎn)了全球第一個將LPDDR5 DRAM內(nèi)存顆粒、96層堆疊3D NAND閃存顆粒整合封裝在一起的芯片“uMCP5”,面向追求高速內(nèi)存、高性能存儲的主流和旗艦5G智能手機,當然用在中高端4G手機里也沒問題。
如今的5G旗艦手機已經(jīng)將LPDDR5內(nèi)存、UFS 3.0/3.1閃存作為標準配置,而且都是大容量,但由于傳統(tǒng)手機中的內(nèi)存都是與SoC處理器整合封裝,閃存則是獨立芯片,會占用不少空間,加之5G手機內(nèi)部元器件急劇增加、結(jié)構(gòu)非常復雜,整體設計難度也大大增加。
美光uMCP5單芯片整合了12GB容量、6400MHz頻率、第二代10nm工藝制造的雙通道LPDDR5內(nèi)存,256GB容量、96層堆疊、UFS接口的3D TLC閃存,以及板載控制器,對外則是297針標準BGA封裝。
美光表示,uMCP5相比傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存雙芯片組合可以節(jié)省40%的面積,同時內(nèi)存和存儲帶寬比上代方案提升50%。
美光表示,uMCP5芯片已經(jīng)向特定客戶提供樣品,但未披露具體都有誰。

閃存資料圖
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