在臺(tái)積電第26屆技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電不僅確認(rèn)5nm、6nm已在量產(chǎn)中，且5nm還將在明年推出N5P增強(qiáng)版外，更先進(jìn)的3nm、4nm也一并公布。

3nm是5nm的自然迭代，4nm理論上說(shuō)是5nm的終極改良。

技術(shù)指標(biāo)方面，3nm(N3)將在明年晚些時(shí)候風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年投入大規(guī)模量產(chǎn)。相較于5nm，3nm將可以帶來(lái)25~30%的功耗減少、10~15%的性能提升。

4nm(N4)同樣定于明年晚些時(shí)候風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年量產(chǎn)。對(duì)于臺(tái)積電N5客戶來(lái)說(shuō)，將能非常平滑地過(guò)渡到N4，也就是流片成本大大降低、進(jìn)度大大加快。

當(dāng)然，臺(tái)積電不是唯一一家3nm廠商，三星的雄心更大，明年就想把3nm推向市場(chǎng)。而且在核心技術(shù)方面，三星的3nm將改用Gate-All-Around(GAA，環(huán)繞柵極晶體管)，臺(tái)積電則是堅(jiān)守FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。

三星比較雞賊，3nm對(duì)比的是7nm，號(hào)稱可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

關(guān)鍵詞： 臺(tái)積電